DRAM需求旺盛、价格看涨！三星工厂停电恐促成DRAM继续涨价
美中关系趋缓，其带来的不确定因素可望淡化，加上三星华城厂跳电，各方指标都有利DRAM 景气向上，业者预期，DRAM报价也可望于本季提前上涨。
记忆体业者预期，本季DRAM涨势由伺服器、绘图用DRAM率先发动，DRAM产业翻转向上号角正式响起，后续伴随在5G和AI人工智能、智能车、物联网等边缘运算对DRAM需求爆发，整体DRAM族群营运都会翻转向上，产业景气正式拨云见日。
尤其是稍早美国记忆体大厂美光释出部分产品开始恢复供货华为，市场正面看待主要大厂库存快速去化，今年DRAM供需逐渐平衡，并随市场需求提升而逐季调涨，DRAM产业重回景气向上的正循环，台厂包括南亚科、华邦电、力积电、威刚、十铨等族群提前迎春燕。
美光在最近的法说会中释出包括伺服器、行动装置、绘图芯片等需求展望皆正面，仅PC DRAM因英特尔的CPU 缺货仍要今年初才会舒缓，但整体需求往正向发展。
市调机构集邦科技也预估，因主要大厂1X奈米制程良率不佳、供货不及，让伺服器和绘图用DRAM翻涨速度比预期快，绘图用DRAM首季合约价涨幅逾5%，超过伺服器用DRAM，让整体DRAM产业景气提前在首季翻扬向上，记忆体族群提前迎接景气春燕，明年营运看俏。
三星的影响
外电报导，三星位于南韩华城的工厂，在跨年夜发生短暂跳电，华城厂区内的部分工厂短暂停电，后来立即恢复供电，但三星仍决定停工进行产线检查，在了解受损程度后，希望在最短时间内恢复生产。推估至少要二到三天。
外电透露，三星华城厂区这次跳电事件，影响的包括生产DRAM 的Line 12 产线，和生产NAND Flash 的Line 13 产线，另外，还有采用EUV 技术生产逻辑芯片。
市场人士估计，三星华城的DRAM和NAND Flash产线，虽然设立已有一段时间，但也是三星DRAM和NAND Flash主力产线，至于采用EUV先进设备的产线，制程较新，影响更为严重。
至于为何发生跳电的原因，目前并不清楚。一般而言，晶圆厂的供电系统都设计有两套回路，分别由两个不同的变电所来供电，降低因意外而发生跳电的风险。不过，如果发生大规模的天然灾害，例如地震而导致电厂停止运转的情况，这部分就另当别论。因此，这次南韩三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况，却发生跳电，这部分也是三星内部必须停工检查的主要关键。
不过，去年日本东芝位于三重县的厂区因地震发生跳电，经历长达半年才恢复生产，造成市场NAND Flash供货短缺，去年7月NAND Flash现货止跌急涨，去年第4季和今年第1季价格也喊涨，三星华城厂跳电，如果停工期拉长，也势必影响整体DRAM和NAND Flash供应。
原文来自：经济日报
