Micro LED显示技术能否取代OLED？三星等大厂争先切入Micro LED

在技术困难、成本高昂等因素相继获解决后，Mini LED背光终端应用可望从明年下半年起放量，就在Mini LED应用推进市场的时程更趋明确后，近来传出包括三星及台厂晶电，都有意投资兴建Micro LED生产基地，掀起市场讨论，距离Micro LED量产时间似乎不远？

Micro LED 被视为可颠覆产业的新一代显示技术，但在关键技术与设备上还未取得突破，Mini LED 因技术难度相对较低，被市场定位为Micro LED 的过渡性产品，成为近来攫取市场目光的显示技术。

在推进终端应用市场前，Mini LED 面临转移打件难度高，及良率与后续坏点修复等技术上的困难，在技术等多重因素交互影响下，成本大幅增加，成本过于高昂也让下游客户却步，导入意愿随之降低。

为突破技术上的窒碍难行，LED 业者跳脱原先单纯的LED 晶粒供应商角色，开始与客户一同解决问题，提供整体解决方案，包括技术上的困难、成本高昂等问题，都成功取得一定程度的进展。

然而，即便业者努力降低各方面导入门槛，目前Mini LED 应用成本仍相对偏高，因此，去年下半年Mini LED 背光问世初期，导入产品以大尺寸电视、高阶笔电、电竞萤幕等高阶应用为主，出货量并未放大，但业界看好，明年下半年包括笔电、平板等大尺寸消费性电子产品将陆续导入，终端应用可望放量，穿戴装置、手机等小尺寸Mini LED 终端应用，也可望问世。

在Mini LED 终端应用放量时程更加明确之际，技术难度更高的Micro LED，近来传出大厂纷纷有意建置生产基地，使Micro LED 技术近来再度浮出水面，重回市场焦点。

Mini LED 是指LED 晶粒长宽约100 至300 微米的LED，晶粒尺寸介于传统LED 与Micro LED 间。而Micro LED 则是微型化LED 阵列，将LED 结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化，晶粒边长小于100 微米，体积约为目前LED 大小的1%，且与OLED 一样能实现每个画素单独定址、单独驱动发光，将画素点的距离由原先的毫米级，降至微米级。

Micro LED 优点包括低功耗、高亮度、超高解析度与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等，其功率消耗量约为LCD 的10%、OLED 的50 %，节能省电效率更佳，且有别于传统LED 与Mini LED，Micro LED 具备自发光、无需背光源的特性。

从应用面来看，一般的LED 芯片以照明与显示器背光模组为主，Mini LED 应用是以HDR 与异型显示器等背光应用为主，终端产品包括手机、电视、车用面板与电竞用笔电等；Micro LED 应用概念则完全不同，由于是自发光显示技术，除应用于手机、车用显示器与电视等，还可拓及至AR 或VR、智慧手表、投影机等领域。

不过，由于Micro LED 技术必须将LED 微小化，以4K 等级的Micro LED 屏幕为例，需要高达2488 万颗LED 高度集成，且由于晶粒尺寸微缩至100 微米以下，从LED 磊晶设计到芯片制程，都需投入新设备，对LED 厂来说，资本支出与设备摊提的折旧成本，将大幅增加。

除成本高昂问题待突破，Micro LED 仍面临包括巨量转移等技术瓶颈，许多系统大厂纷纷投入资源，开发巨量转移技术；近来传出，三星电子正考虑在明年上半年，投资工厂与设备以启动Micro LED 生产，惟具体投资规模与量产时间还未确定，晶电也拟与中国LED 显示屏大厂利亚德集团成立合资公司，传将共同建置Micro LED 量产基地。

业界原先预期，Micro LED 受限巨量转移等技术瓶颈，真正步入量产阶段恐得历时至少3 至5 年时间，然而，从各大厂商相继投入建立Micro LED 生产基地来看，Micro LED 应用可能会较原先预期还早问世。

原文来自：钜亨网