合肥长鑫和兆易创新加大DDR4投入，国产内存将大量面世
2019年国产内存实现了0的突破，合肥长鑫前不久宣布量产10nm级DDR4内存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存储芯片公司兆易创新也宣布研发内存，10.1日该公司宣布融资43亿元，主要用于研发1Xnm工艺的内存芯片。
根据兆易创新的公告，本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者，发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%，即不超过64,224,315股（含本数）。
预案显示，兆易创新本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额将用于DRAM芯片研发及产业化项目及补充流动资金。
募集的资金中有39.92亿元都会投入到内存研发及产业化中，主要用于研发1Xnm（19、17nm）制程工艺下的内存芯片，设计、研发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多种规格的内存。
早在2017年的时候，兆易创新宣布与合肥长鑫合作，双方将投资180亿元研发国产内存，其中兆易创新方面负责筹集36亿元的资金。不过合肥长鑫量产内存时表示该项目是他们独立运营的，否认与兆易创新有关。
目前情况来看，兆易创新融资43亿元是准备自行研发DDR内存，而且制程工艺也是国际先进水平，17nm工艺目前与三星、美光工艺基本持平，不过后者已经开始量产，兆易创新依然是研发阶段。
当然了，说起工艺，我们和世界顶级水平差得还是太远……
台积电今天就宣布，N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户，这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。
EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到13.5nm，研发，推动更先进工艺。
EUV光刻技术早在20世纪80年代就已经研发出来，最初计划用于70nm工艺，但光刻机指标一直达不到需求，加之成本居高不下，芯片厂商不得不引入沉浸式光刻、双重乃至多重曝光来开发新工艺。
按照台积电的说法，他们的EUV光刻机已经可以在日常生产中稳定输出超过250W的功率，完全可以满足现在以及未来新工艺的需求。
三星7nm工艺也在引入EUV，不过进展相比台积电要落后很多。
台积电表示，7nm+的量产速度也是公司史上最快的之一，今年第二季度就已量产，并且在良品率上迅速达到了已经量产1年多的7nm工艺的水平。
7nm+相比于7nm在性能上可带来15-20％的晶体管密度提升，同时改进了功耗。
台积电7nm+工艺已经应用于多家客户的产品，但官方没有给出具体名单，目前唯一可完全确认的就是华为麒麟990 5G，AMD下一代Zen 3架构也一直标注为7nm+工艺。
接下来，台积电将继续奔向6nm、5nm、3nm、2nm……
另外，最近台积电的7nm及16/10nm工艺都面临着产能满载的问题，华为、苹果、AMD等主要客户都要提前预定产能。
这还不算完，台积电还有7nm改进版的6nm工艺，今天该公司透露6nm工艺将在明年Q1季度试产。
虽然间隔在7nm及5nm之间，6nm工艺听上去也像是全新一代工艺，但实质上它还是7nm工艺的改良版。
根据台积电所说，6nm在已有7nm(N7)工艺的基础上大幅度增强，号称可提供极具竞争力的高性价比，而且能加速产品研发、量产、上市速度。
此外，新的6nm工艺也有EUV极紫外光刻技术，号称相比第一代7nm工艺可以将晶体管密度提升18％，同时设计规则完全兼容第一代7nm，便于升级迁移，降低成本。
对客户来说，6nm工艺的好处就是晶体管密度更高，但成本上跟7nm工艺差不多，设计也是兼容的，有助于客户快速推进到6nm，之前台积电表态大部分7nm客户都会转移到6nm节点。
今天台积电公司重申了6nm工艺的进展情况，目前进度很顺利，将在2020年Q1季度试产，2020年底正式量产。
原文来自：公众号硬件世界
